En el camino hacia unos chips de memoria más rápidos, pequeños y eficientes energéticamente: Investigadores de la Universidad de Texas en Austin han desarrollado lo que dicen que es la memoria de memristores más fina del mundo hasta la fecha a nivel atómico, con una densidad de almacenamiento de 25 terabits por cm2.
La carrera por hacer chips y componentes más pequeños tiene que ver con el rendimiento y la comodidad. Los chips de memoria más pequeños prometen una menor necesidad de energía con una mayor capacidad. Pero la miniaturización de los transistores está alcanzando cada vez más sus límites físicos. Para seguir reduciendo el tamaño de los componentes semiconductores, los investigadores deben aprender a entender y dominar mejor los efectos físicos y encontrar nuevas formas, por ejemplo, de poder implementar chips de memoria a nivel de nanoescala.
Utilización de agujeros a nanoescala en material semiconductor para efectos de memoria
Un equipo de investigación de la Universidad de Texas en Austin ha utilizado ahora nuevos conocimientos sobre la dinámica física de los átomos metálicos para desarrollar memristores de un solo nivel atómico. Por ello, los científicos han utilizado defectos o agujeros en el material para conseguir una novedosa y elevada densidad de memoria.
Dice Deji Akinwande, profesor del Departamento de Ingeniería Eléctrica e Informática. Dijo que este cambio podría utilizarse para lograr el efecto de memoria deseado. "El Santo Grial científico para el escalado desciende a un nivel en el que un solo átomo controla la función de la memoria. Eso es exactamente lo que hemos conseguido en el nuevo estudio.
Los memristores atómicos
Los memristores -un portmanteau del inglés memory (memoria) y resistor (resistencia), en referencia al establecido transistor (resistencia de transferencia)- no han aparecido realmente en aplicaciones prácticas todavía, pero son un área popular en la investigación de la memoria, especialmente en la potencial miniaturización de los dispositivos de memoria. El objetivo de este tipo de dispositivos es desarrollar componentes eléctricos que puedan cambiar la resistencia entre sus dos terminales sin necesidad de un tercer terminal en el medio (la llamada puerta). De este modo, los memristores pueden, en teoría, ser más pequeños que las actuales memorias flash y, al mismo tiempo, tener más capacidad de almacenamiento.
Esta versión del memristor -desarrollada con las avanzadas instalaciones del Laboratorio Nacional de Oak Ridge- promete una capacidad de unos 25 terabits por centímetro cuadrado. En comparación, las memorias flash de gama alta disponibles en el mercado, como los chips BiCS4 QLC NAND de Toshiba, tienen actualmente 1,33 terabits/cm2. Sin embargo, el equipo aún no ofrece una estimación de cuánto tiempo tardaría esta tecnología de memoria en alcanzar la suficiente madurez técnica.
Los investigadores han publicado sus hallazgos en la revista Nature Nanotechnology.
Este artículo apareció por primera vez en nuestro portal asociado Elektronik Praxis.